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筑波大学大学院
岩室憲幸先生の「パワー半導体プロセス」の評価一覧
【筑波大学大学院】岩室憲幸先生が担当する「パワー半導体プロセス」には、1件の授業評価が寄せられています。授業の充実度は星3.0点、楽単度は星3.0点です。会員登録・ログインをして、在学生による評価とシラバスの内容をもとに、授業の選択・履修登録の参考にしましょう。
のびた さんの授業評価
| 学部 学科 | 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻(博士課程) |
|---|---|
| 担当の先生名 | 岩室憲幸先生 |
| 授業種別 | 専門科目 |
| 出席 | ほぼ毎回とる |
| 教科書 | 教科書なし・不要 |
| 授業の雰囲気 | - |
| テスト |
前期/中間：
レポートのみ 後期/期末： レポートのみ 持ち込み： テストなし |
| テストの方式や難易度 | - |
| コメント 授業の内容や学べたこと |
シリコンパワーMOSFET、IGBTのウェハプロセスを理解した上で、新材料パワーデバイスとして有望なSiCのウェハプロセスを理解し、シリコンデバイスとSiCデバイスのプロセスの違い等を学習する。 |
| 授業を 受けた時期 |
- |
| 評価 |
|
(2019/11/05) [3394601]
